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41.
四次C-曲线的性质及其应用 总被引:20,自引:0,他引:20
以1,t,t2,t3,…为基底的Bézier曲线和B样条曲线是构造自由曲线、曲面强有力的工具.但是它们不能精确地表示某些圆锥曲线如圆弧、椭圆等,也不能精确地表示正弦曲线.本文利用一组新的基底sint,cost,t2,t,1,构造了两条新的曲线,这两条曲线依赖于参数α>0.当α→0时极限分别是四次Bézier曲线和四次B样条曲线,称之为四次C-曲线:四次C-Bézier曲线和四次C-B样条曲线.它们具有一般Bézier曲线和B样条曲线的性质:如端点插值,凸包,离散等,还可以精确的表示圆弧、椭圆及正弦曲线.作为应用,文章最后给出了四次C-Bézier曲线表示正弦曲线的条件. 相似文献
42.
字节全加器及其在无线电测控系统中的应用 总被引:1,自引:1,他引:0
对全加器概念进行了推广,并在此基础上给出了使用字节全加器网络的无线电抗干扰算法。通过在实际的无线电测控系统中的应用,结果表明该算法具有良好的无线电抗干扰效果。 相似文献
43.
44.
单晶光纤损耗谱测量装置 总被引:4,自引:1,他引:3
本文描述了一套用以测量单晶光纤损耗谱的装置。本装置由卤钨灯,单色仪,积分球,AgORbCs光电倍增管以及数据采集,处理和控制系统组成。可测量300~1150nm的光谱范围。利用本装置可获得单晶光纤的吸收光谱,透过率谱,散射光谱以及散射位置谱。 相似文献
45.
46.
回热器是脉管制冷机的关键部件之一,其效率对脉管制冷机性能有很大影响。铅丸是常见的蓄冷材料,通常用于回热器的低温端。本文测试和分析了不同品质的国产铅丸和进口铅丸对单级G-M型脉管制冷机性能的影响。采用额定功率为6.0 kW的压缩机驱动,使用进口铅丸脉管制冷机最低制冷温度达12.9 K,这是当前单级脉管制冷机达到的最低制冷温度;40 K时的最大制冷量为57.4 W。使用国产铅丸最低制冷温度为13.6 K,40 K时的最大制冷量为55.9 W。本文对低温制冷机蓄冷材料选择具有一定的参考价值。 相似文献
47.
设x:M→S^n+1(n≥23)是n+1-维单位球中的无脐点超曲面,Moebius不变量G,Ф,A和B分别表示x的Moebius度量,Moebius形式,Blaschke形式和Moebius第二基本形式.本文证明了如果x的Moebius形式圣平行,并且A+λG+μB=0,其中λ,μ分别是定义在M上的光滑函数,那么Ф=0,由此及李海中、王长平(2003年)文献中的分类定理给出了眇州中具有平行的Moebius形式及满足A+λG+μB=0的超曲面的分类.此结果推广了他们及张廷枋(2003年)文献中的结果. 相似文献
48.
为了进一步研究纳米导线阵列的排列形状以及阵列数目对其场发射行为的影响,利用镜像悬浮球模型对正方形以及六边形排列的纳米导线阵列的场发射行为进行计算与模拟,近似的得到纳米导线阵列的场发射增强因子满足如下的变化趋势:β=h/ρ(1/1+W)+1/2(1/1+W)2+3,其中h为纳米导线的高度,ρ为纳米导线的半径,W是以R为自变量的函数,R为纳米导线阵列的间距.结果显示纳米导线阵列的排列形状对其场发射性能的影响较小,而阵列间距则是影响场发射性能的关键因素:当R<R0时,场发射增强因子随着阵列间距的减小而急剧减小;当R>R0时,场发射增强因子基本不变,其中R0为导线阵列场发射的最佳间距.进一步研究表明改变纳米导线阵列的数目基本不会改变阵列的场发射性能随间距的变化趋势,但是随着阵列数目的增加,R0会有一定程度的减小,场发射增强因子也会降低.
关键词:
纳米导线
场发射
增强因子
阵列数目 相似文献
49.
50.